GOOGLE

中古機械磨床

更多...

研磨整合事業

更多...

砂輪耗材專區 » 砂輪材料規格

755656_ece50596727418f1b23eb42f43cdaace


砂輪材料規格.形狀基本認識、標示

           

砂輪的標示、形狀基本認識

 

砂輪形成、尺寸、形狀、用途選用介紹

 

砂輪研磨作用
砂輪是經由磨料、結合劑、氣孔組合而成、經高速迴轉運作中，以其在外緣表面植無數上千萬之硬、銳、耐溫之小磨粒連續在工作物表面切削磨除，且不斷的自生銳利顆粒與磨屑空隙（氣孔），繼續對各種材料做磨削工作的一種研磨工具。

 

砂輪之結構
780775_08fc879e7ea41ed46ada537f106a6e94

 


砂輪標示與訂購方法：規格與尺寸
 
規格 --- AZ 46 J 8 V 1 A 尺寸 --- 355 x 38 x 127
AZ
46
J
8
V
1
A
磨料
粒度
結合度(硬度)
組織(氣孔)
製法
形狀
緣形
A
灰黑色
16
                  
20
 
 
 
 
 
 
 
1
 
 
38A
 
橘紅色
24
 
 
 
 
 
 
 
2
 
36
粗
 
軟
 
 
 
小
 
 
3
 
 
PA
淺粉紅色
46
 
 
 
V
 
瓷質結合法
4
A
60
E
 
5
B
 
RA
 
紫紅色
100
 
F
 
0
 
 
 
6
C
120
 
G
 
1
 
 
 
7
D
 
GC
 
淺綠色
150
 
H
 
2
 
 
B
樹脂結合法
8
E
180
 
I
 
3
 
9
F
 
WA
白色
220
 
J
 
4
 
 
 
10
G
240
 
K
 
5
 
 
 
11
H

AZ

寶藍色
280
 
L
 
6
 
 
R
橡膠結合法
12
I
320
 
M
 
7
 
13
J
 
32A
 
灰白色
400
 
N
 
8
 
 
 
14
K
500
 
O
 
9
 
 
 
16
L
 
SG
 
水藍色
600
 
P
 
10
 
 
MG
氧化鎂結合法
20
M
800
 
O
 
11
 
21
N
 
C
黑色
1000
 
R
 
12
 
 
 
22
P
1200
 
S
 
13
 
 
 
23
 
 
19A
棕色
1500
 
T
 
14
 
UBS
彈性樹脂結合法
24
 
2000
細
U
硬
 
 
 
大
25
 
 
 
64A
 
 
灰色
2500
 
 
FBB 
聚乙烯纖維法 
26
 
3000
 
 
 
 
50
 
4000
 
 
 
 
 
 
 
60
 

 

標準形狀
1.常用形(平形) 2.環形 3.單面斜形 4.雙面斜形
5.單面凹形 6.盆形 7.雙面凹形 8.安全形
9.雙面盆形 10.雙面凸形 11.斜盆形 12.深碟形
13.淺碟形 14.盤形 16.砲彈形 20.單面斜凹形
21.雙面斜凹形 22.單凹斜凹形 23.單面併凹形 24.單凹／併凹形
25.斜凹／併凹形 26.雙面併凹形 50.瓦片形 60.角形

 

 


標準緣型

 

 


其他形狀
砲彈型砂輪：統一標示 「SUED」
石磨：一般型「MIL」、特殊型「MSP」
汽門座砂輪：統一標示「VLVST」
特殊異形：通常標示「SP」
大理石、地磚專用磨石：
圓盤：ψ255 X 50 X ψ50 標示「O」
元寶型：標示「 S」
A 型：標示「A」
馬蹄型：標示「H」

 

 


帶柄砂輪形狀
A Group：異型
B Group：外徑尺寸較小 ( 3/4" ψ以下)之異型
W Group：所有平直形之帶柄砂輪屬之
AJ Group：A Group之延伸
BJ Group：B Group之延伸
其他：SF、K、L Group及特殊規格帶柄砂輪

 

 


超精研磨用、汽缸研磨用、模具用及車刀修整用的砂條
正方形標示：SQ
長方形標示：RT
圓形標示：RD
半圓形標示：HR
正三角形標示：TR
有 R 形標示：HN
 

 

 

如何正確選擇適當的砂輪
研磨條件
磨料
粒度
結合度
組織
結合劑
不
變
的
研
磨
條
件		 工作物的材質

●抗拉強度 30 kg/mm2 以上抗張力大的半鋼軟鋼時用A.
●抗拉強度 50 kg/mm2 以上抗張力極大的淬火鋼時用WA.
●硬而且研磨性不良的合金鋼時用DA.RA.DR.32A.
●抗拉強度 20 kg/mm2 以下抗張力小的鑄鐵、有色金屬、非金屬時用C.
●超硬合金、寶石時用GC.

 ●軟而且展性大的材質時用粗粒.
●硬而且脆弱的材質時用細粒.		 ●軟的工件加工時用硬的結合度.
●硬的工件加工時用軟的結合度.
●非常軟的銅、鋅鐵等時用軟的結合度.
 		 ●軟而且粘的工件加工時用粗鬆的組織.
●硬而且脆弱的工件加工時用細密的組織.
 		  
研磨裕量以及所要求的精度和修飾效果研磨作業的方式
 		 ●重負荷、重自由研磨時用A.Az.
●鏡面研磨修飾用GC.
 		 ●以效率為主、且研磨裕量大的粗研磨時用#1O~3O的粗粒.
●研磨效率要高且修飾面也要好時用#243.#303的混合粒度.
●研磨裕量不大而且需要精密的修飾時用細粒.		 ●手持研磨及其他粗研磨時用硬的結合度.
●精密研磨時用中或軟的結合度.		 ●研磨費用高的粗研磨時用粗鬆的組織.
●精密修飾研磨時用細密的
組織.		 ●粗以及中的修飾時用瓷質法(V).
●高度的修飾時用樹脂法(B)橡膠法(R).
●重負荷、重自由研磨時用樹脂法(B).
 
接觸面積   ●接觸面積小時用細的粒度.
●接觸面積大時用粗的粒度.		 ●接觸面積小時用硬的結合度.
●接觸面積大時用軟的結合度.		 ●接觸面積小時用細密的組織.
●接觸面積大時用粗鬆的組織.		  
可
變
的
研
磨
條
件		 砂輪的周速度     ●周速度高時用軟的結合度.
●周速度低時用硬的結合度.		   ●周速度 2000 M/min 以下時瓷質法(V).
●周速度2000 M/min 以上時用樹脂法(B).
加工工作物的速度     ●速度高時用硬的結合度.
●逮度低時用軟的結合度.		    
進刀量或
研磨壓力		     ●進刀量大時用硬的結合度.
●造刀量小時用軟的結合度.		   ●特別進刀量大且研磨壓力 大時用樹脂法(B).
機械狀態
 		   ●剛性良好且振動少時用軟的結合度.
●振動多時用硬的結合度.		   ●在振動多的機械上使用樹 脂砂輪往往會獲得良好結果.
是否使用
研磨液		     ●濕式研磨時可選比乾式時
硬一級的結合度.
●乾式研磨時要選比濕式時軟一級的結合度.		    
作業者是否熟練     ●熟練者時用軟的結合度.
●非熟練者時用硬的結合度.		  

 

 

 

 何謂CMP 研磨

 

 

  • 化學機械抛光（研磨）
    C--chymistry
    M--mechanism
    P--Polish
CMP 是哪三個英文單詞的縮寫？
Chemical Mechanical Polishing (化學機械研磨)

CMP是哪家公司發明的？
CMP是IBM在八十年代發明的。

簡述CMP的工作原理？
化學機械研磨是把芯片放在旋轉的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力，用化學研磨液(slurry)來研磨的。

爲什幺要實現芯片的平坦化？
當今電子元器件的集成度越來越高，例如奔騰IV就集成了四千多萬個晶體管，要使這些晶體管能夠正常工作，就需要對每一個晶體管加一定的電壓或電流，這就需要引線來将如此多的晶體管連接起來，但是将這幺多的晶體管連接起來，平面布線是不可能的，隻能夠立體布線或者多層布線。在制造這些連線的過程中，層與層之間會變得不平以至不能多層叠加。用CMP來實現平坦化，使多層布線成爲了可能。

CMP在什幺線寬下使用？
CMP在0.25微米以下的制程要用到。

什幺是研磨速率（removal rate）?
研磨速率是指單位時間内研磨膜厚度的變化。

研磨液(slurry)的組成是什幺？
研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles)，以及能對被研磨膜起化學反應的化學溶液組成。

爲什幺研磨墊(Pad)上有一些溝槽(groove)？
研磨墊上的溝槽是用來使研磨液在研磨墊上達到均勻分布，使得研磨後芯片上的膜厚達到均勻。

爲什幺要對研磨墊進行功能恢複(conditioning)?
研磨墊在研磨一段時間後，就有一些研磨顆粒和研磨下來的膜的殘留物留在研磨墊上和溝道内,這些都會影響研磨液在研磨墊的分布,從而影響研磨的均勻性。

什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？
blanket wafer 是指無圖形的芯片。pattern wafer 是指有圖形的芯片。
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會一樣嗎？
一般來說，blanket wafer 與pattern wafer的removal rate是不一樣的。

爲什幺Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會不一樣？
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate不一樣是由于pattern wafer上有的地方高，有的地方低，高的地方壓強(pressure)大，研磨速度大（回想Preston關系式）。而且，總的接觸到研磨的面積要比Blanket wafer接觸到研磨的面積要小，所以總的壓強大，研磨速度大。

在研磨後，爲什幺要對芯片進行清洗？
芯片在研磨後，會有大量的研磨顆粒和其它一些殘留物留在芯片上，這些是對後面的工序有害，必須要清洗掉。

CMP (process tool) 分爲幾類？
對不同膜的研磨，CMP分爲Oxide, W, Poly, Cu CMP等。

CMP常見的缺陷（defect）是什幺？
CMP常見的缺陷有劃傷(scratch), 殘留物(residue), 腐蝕（corrosion）.

W Remove Rate 用什幺方法來測？
W是指Tungsten (鎢), remove rate是指化學機械研磨速率，即單位時間内厚度的變化。由于鎢是不透光的物質，其厚度的測試需由測方塊電阻(sheet resistance or Rs)的機台來測量。

用來測定Oxide Thickness的方法是什幺？
由于二氧化矽(Oxide)是透明的，所以通常測量二氧化矽的厚度（Thickness）用橢偏光法。

爲什幺要測particle(塵粒)？
外來的particle對半導體器件的良率有很大的影響，所以在半導體器件的制造過程中一定要對塵粒進行嚴格的控制。

用光學顯微鏡檢查芯片的重點是什幺？
用光學顯微鏡（Optical Microscope or OM）可以觀察到大的缺陷如(1) 劃傷（scratch）,(2) 殘留物（residue）

CMP 區Daily monitor日常測機主要做哪些項目？
任何機台的特性（performance）會随時間的變化而變化。日常測機是用來檢測機台是否處于正常的工作狀态。CMP的日常測機通常要測以下一些項目：(1) removal rate (2) particle (3) uniformity

CMP區域哪些機台可以共享一種dummy wafer,哪些不能？
W DUMMY 隻能用于w機台，poly dummy 隻能用于poly機台，OXIDE dummy可以共享。

什幺是over polish?
化學機械研磨是去掉芯片上的膜的高低不平的部分，從而達到平坦化或所需要的圖形。如果研磨掉膜的厚度比預定的厚度要大，就叫overpolish。 Overpolish後的芯片是不可挽救的。

什幺是under polish?
如果研磨掉膜的厚度比預定的厚度要小，就叫underpolish。Underpolish後的芯片可以通過重新研磨來補救。

CMP 研磨機台由哪幾部分組成？
CMP機台由芯片機械傳送裝置，研磨和清洗等組成

CMP區域的consumables (易耗品)通常是指哪些？
CMP區域的consumables (易耗品)通常是指研磨液，研磨墊，清洗用的刷（brush）, diamond disk等。
希望對你有用。。。
大中興企業股份有限公司　電話：04-2338 0208　傳真：04-2338 9265　地址：414台中市烏日區五光路789號　電子郵件信箱
此網頁採用　　建議1024*768+解析度，以及GoogleChrome瀏覽器